1. BSB056N10NN3 G
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厂商型号

BSB056N10NN3 G 

产品描述

MOSFET N-Channel 100V MOSFET

内部编号

173-BSB056N10NN3-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:3491
1+¥18.3934
10+¥15.59
100+¥13.5386
250+¥12.8549
500+¥11.4873
1000+¥9.6412
2500+¥9.1625
5000+¥8.4104
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:190
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:6186
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BSB056N10NN3 G产品详细规格

规格书 BSB056N10NN3 G datasheet 规格书
BSB056N10NN3 G
BSB056N10NN3 G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 5,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 83A
Rds(最大)@ ID,VGS 5.6 mOhm @ 30A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3.5V @ 100µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 74nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 5500pF @ 50V
功率 - 最大 78W
安装类型 Surface Mount
包/盒 3-WDSON
供应商器件封装 MG-WDSON-2, CanPAK M™
包装材料 Tape & Reel (TR)
RoHS RoHS Compliant
封装 Reel
零件号别名 BSB056N10NN3GXT BSB056N10NN3GXUMA1 SP000604540
P( TOT ) 78W
匹配代码 BSB056N10NN3 G
安装 SMD
R( THJC ) 1.6K/W
LogicLevel NO
包装 WDSON-2
单位包 5000
标准的提前期 9 weeks
最小起订量 5000
Q(克) 74nC
LLRDS (上) n.sOhm
汽车 NO
LLRDS (上)在 n.s.V
我(D ) 83A
V( DS ) 100V
技术 OptiMOS
的RDS(on ) at10V 0.0056Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 9A (Ta), 83A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3.5V @ 100µA
漏极至源极电压(Vdss) 100V
供应商设备封装 MG-WDSON-2, CanPAK M™
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 5.6 mOhm @ 30A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 78W
标准包装 5,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 5500pF @ 50V
闸电荷(Qg ) @ VGS 74nC @ 10V
封装/外壳 3-WDSON
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BSB056N10NN3 GCT
系列 BSB056N10
商品名 OptiMOS

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